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日本furukawa氮化鋁陶瓷零件半導體制造設備 FAN-090/FAN-170/FAN-200半導體制造設備(用于前端工藝)需要應對更小的設計規(guī)則和更大的晶圓直徑(300mmφ或更大)。為此,構成設備的部件材料的選擇極其重要。
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日本furukawa氮化鋁陶瓷零件半導體制造設備 FAN-090/FAN-170/FAN-200 特點介紹
半導體制造設備(用于前端工藝)需要應對更小的設計規(guī)則和更大的晶圓直徑(300mmφ或更大)。為此,構成設備的部件材料的選擇極其重要。
氮化鋁(AlN)是一種平衡良好的材料,具有優(yōu)異的導熱性、熱輻射(散熱)、抗熱震性和電絕緣性,并且具有與硅晶片相匹配的熱膨脹性。
利用古河電子的燒成技術,我們還能夠制造550mmφ氮化鋁陶瓷部件。我們還將應對更大直徑的晶圓。
具有高導熱率和熱發(fā)射率,受熱均勻性高。
它具有抗熱沖擊能力,可以承受快速加熱和冷卻。
與硅相匹配的低熱膨脹。
對氟氣具有優(yōu)異的耐腐蝕性。
日本furukawa氮化鋁陶瓷零件半導體制造設備 FAN-090/FAN-170/FAN-200 規(guī)格參數(shù)
半導體制造裝置(CVD、蝕刻等)用各種基座、靜電吸盤、均熱板、真空吸盤、加熱器
虛擬晶圓
目標
化合物半導體制造設備零部件
?熱伝導?熱放射率が大きく、均熱性が高い。?熱衝撃に強く、急熱?急冷に耐える。?Si にマッチした低熱膨張で、溫度変化によるウェーハの変形を防ぎ、また、デポ膜の剝離によるパーティクル発生を低減する。?フッ素系ガス耐食性に優(yōu)れる。
郵箱:akiyama_zhou@163.com
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