日本cellsystem發(fā)光二極管LED光源功率低 Iris 特點(diǎn)介紹

複數(shù)の発光ダイオードの光を合成して対象セルを均一に照射

日本cellsystem發(fā)光二極管LED光源功率低 Iris 規(guī)格參數(shù)

光源部新設(shè)計(jì)的工程引擎，可合成覆蓋有效光譜頻帶的多個發(fā)光二極管的光，均勻照射對象單元。由于可產(chǎn)生任意的光譜分布，因此不僅可以再現(xiàn)太陽光照射環(huán)境，還可以再現(xiàn)室內(nèi)照明下和特殊照明條件。高效率的電光轉(zhuǎn)換大大降低了電力消耗，而且沒有熱線頻帶的光輻射，因此不需要水冷裝置。光源的壽命比傳統(tǒng)的氙氣/鹵素?zé)糸L了一個位數(shù)。

1.照射光源部（合波/照明模塊、LED）使用的LED 400～800nm:28種LED 400～1100nm:34種LED光譜特性接近AM1.5G的光譜特性±10%以內(nèi)（Class-A）（但輻射照度為100mW/cm2）其中）照射面積有效IRIS-1:□100mmIRIS-2:□200mm照射強(qiáng)度48mW/cm2（400-800nm）中的積分輻射照度）75mW/cm2（400-1100nm中的積分輻射照度）照度穩(wěn)定性±0.5%/h以內(nèi)（但點(diǎn)亮30分鐘后）（Class-A）位置不均勻度±2～5%以內(nèi)（有效照射面積200mm/100mm角內(nèi)）±1～2%以內(nèi)（有效照射面積50mm/20mm角內(nèi)）照射方向垂直向下照射距離200mm冷卻方式強(qiáng)制空冷